6767P正面.png
6776P新图.png
6740P (2).png
6740E正面.png

Intel Xeon 6767p

Intel Xeon 6776P

Intel Xeon 6740P

Intel Xeon 6740E

สินค้าแนะนำ

9575新图 - 副本.png
9654新图 - 副本.png
9755新图.png
9555.png

AMD EPYC 9575F

AMD EPYC 9654

AMD EPYC 9755

AMD EPYC 9555




Samsung 96GB DDR5-5600 M321RYGA0PB0-CWMKJ.jpg
Samsung 128GB DDR5-6400 M321RAJA0MB2-CCPWF.jpg
Samsung 64GB DDR5-5600 M321R8GA0EB0-CWMXJ.jpg

Samsung 96GB DDR5-5600 M321RYGA0PB0-CWMKJ

Samsung RAM

Samsung 128GB DDR5-6400 M321RAJA0MB2-CCPWF

โมดูลหน่วยความจำ DDR5-5600 ความจุสูง 96GB จาก Samsung มอบแบนด์วิดท์ที่ยอดเยี่ยมสำหรับเวิร์กโหลดเซิร์ฟเวอร์และ AI ที่ต้องการ 

Samsung 64GB DDR5-5600 M321R8GA0EB0-CWMXJ

ความเร็ว DDR5-6400 แบนด์วิดท์สูงช่วยให้ประมวลผลข้อมูลได้เร็วขึ้น ความจุขนาดใหญ่ 128GB รองรับเวิร์กโหลดที่ใช้หน่วยความจำมาก

ประสิทธิภาพความเร็วสูงและแบนด์วิธที่เพิ่มขึ้นสำหรับเวิร์กโหลดที่ต้องการ ความจุ 64GB รองรับการทำงานหลายอย่างพร้อมกันและการประมวลผลข้อมูลขนาดใหญ่ 




Samsung 32GB DDR5-5600 M425R4GA3BB0-CWMOL.jpg
Samsung 96GB DDR5-6400 M321RYGA0PB2-CCPKF.jpg
Hynix HMCG94AGBRA632N AA 64GB DDR5-5600.jpg

Samsung 32GB DDR5-5600 M425R4GA3BB0-CWMOL

Samsung&Hynix RAM

Samsung 96GB DDR5-6400 M321RYGA0PB2-CCPKF

มอบประสิทธิภาพความเร็วสูงสำหรับงานที่ต้องการความละเอียดสูง ความถี่ 5600MHz ช่วยให้การถ่ายโอนข้อมูลรวดเร็ว เพิ่มประสิทธิภาพการทำงาน 

Hynix HMCG94AGBRA632N AA 64GB DDR5-5600

โมดูลหน่วยความจำ Samsung 96GB DDR5-6400 นี้มีความจุสูงสำหรับเวิร์กโหลดที่ต้องการ ความเร็ว 6400MHz ช่วยให้ประมวลผลข้อมูลได้อย่างรวดเร็ว 

ความจุ 64GB รองรับชุดข้อมูลขนาดใหญ่และเวอร์ชวลไลเซชัน DDR5-5600 ให้แบนด์วิดท์และประสิทธิภาพที่ดีขึ้นกว่ารุ่นก่อนหน้า




Hynix HMCGM4MGBRB614N AA 96GB DDR5-5600.jpg
Micron 96GB DDR5-5600 MTC40F204WS1RC56BB2 MLCC.jpg
Micron 96GB DDR5-6400 MTC40F204WS1RC64BC1 UXCC.jpg

Hynix HMCGM4MGBRB614N AA 96GB DDR5-5600

Hynix&Micron RAM

Micron 96GB DDR5-5600 MTC40F204WS1RC56BB2 MLCC

มีความจุสูงสำหรับเวิร์กโหลดที่ต้องการหน่วยความจำจำนวนมาก ความเร็ว 5600MHz ช่วยให้ถ่ายโอนข้อมูลได้อย่างรวดเร็ว เพิ่มประสิทธิภาพของระบบ 

Micron 96GB DDR5-6400 MTC40F204WS1RC64BC1 UXCC

โมดูล Micron 96GB DDR5-5600 นี้มีความหนาแน่นสูงสำหรับเวิร์กโหลดที่ต้องการหน่วยความจำจำนวนมาก ใช้ตัวเก็บประจุ MLCC เพื่อการจ่ายไฟที่เสถียรและลดเสียงรบกวน 

โมดูลนี้มีความจุ 96GB ด้วยความเร็ว DDR5-6400 ให้แบนด์วิดท์สูงสำหรับเวิร์กโหลดที่ต้องการหน่วยความจำจำนวนมาก

SSD สำหรับเซิร์ฟเวอร์แบรนด์แท้

金士顿15.36T SATA_画板 1.jpg

Kingston SSD DC3000ME U.2 15.36T SEDC3000ME/15T3

金士顿7.68T U.2 NVME_画板 1.jpg

Kingston SSD DC3000ME U.2 7.68T SEDC3000ME/7T6

Kingston 3.84T U.2 NVME_画板 1.jpg

Kingston SSD DC3000ME U.2 3.84T SEDC3000ME/3T8

Samsung PB7143 61.44T_画板 1.jpg

Samsung SSD BM1743 U.2 61.44T PCIE MZWMO61THFCLF-00AW7

三星PM9D3A 15.36T NVME_画板 1.jpg

Samsung SSD PM9D3A U.2 15.36T MZWL615THBLF-00B07

Samsung 983A 7.68T NVME_画板 1.jpg

Samsung SSD PM983A U.2 7.68T PCIE MZQLB7T6HALA-00W07

Samsung PM893 7.68T SATA_画板 1.jpg

Samsung SSD PM893 SATA 7.68T MZ7L37T6HBLA-00A07

Samsung PM893 3.84T SATA_画板 1.jpg

Samsung SSD PM893 SATA 3.84T MZ7L33T8HBLT-00B7C

Samsung PM 893 1.92T SATA_画板 1.jpg

Samsung SSD PM893 SATA 1.92T MZ7L31T9HBLT-00B7C

Samsung PM9D3A 7.68T U.2 NVME_画板 1.jpg

Samsung SSD PM9D3A U.2 7.68T MZWL67T6HBLC-00B07

Samsung PM9D3A 3.84T U.2 NVME_画板 1.jpg

Samsung SSD PM9D3A U.2 3.84T MZWL63T8HFLT-00AW7

Samsung PM9A3 3.84T U.2 NVME_画板 1.jpg

Samsung SSD PM9A3 E1.S 3.84T MZTL23T8HCLS-00A07

三星PM9A3 3.84T E1.S_画板 1.jpg

Samsung SSD PM9A3 E1.S 3.84T MZTL23T8HCLS-00A07

Sinde S4520 7.68T SATA_画板 1.jpg

Solidigm SSD D3-S4520 SATA 7.68T SSDSC2KB076TZ

Seagate S4620 1.92T SATA_画板 1.jpg

Solidigm SSD D3-S4620 SATA 1.92T SSDSC2KG019TZ

ติดต่อ
ฝากข้อมูลของคุณไว้ แล้วเราจะติดต่อกลับ

คอลเลกชัน

ซีพียู

GPU

SSD

DRAM

ติดต่อ

อีเมล: nora@hxyhsz.com

+86 13155808889 (WhatsApp)

+86 17322367725 (WhatsApp)

ที่อยู่: 10/F, WONG KING INDUSTRIAL BUILDING, 2-4 , TAI YAU STREET, SAN PO KONG, HONG KONG

img
Edward Fu