Samsung 96GB DDR5-5600 M321RYGA0PB0-CWMKJ
Samsung RAM
Samsung 128GB DDR5-6400 M321RAJA0MB2-CCPWF
โมดูลหน่วยความจำ DDR5-5600 ความจุสูง 96GB จาก Samsung มอบแบนด์วิดท์ที่ยอดเยี่ยมสำหรับเวิร์กโหลดเซิร์ฟเวอร์และ AI ที่ต้องการ
Samsung 64GB DDR5-5600 M321R8GA0EB0-CWMXJ
ความเร็ว DDR5-6400 แบนด์วิดท์สูงช่วยให้ประมวลผลข้อมูลได้เร็วขึ้น ความจุขนาดใหญ่ 128GB รองรับเวิร์กโหลดที่ใช้หน่วยความจำมาก
ประสิทธิภาพความเร็วสูงและแบนด์วิธที่เพิ่มขึ้นสำหรับเวิร์กโหลดที่ต้องการ ความจุ 64GB รองรับการทำงานหลายอย่างพร้อมกันและการประมวลผลข้อมูลขนาดใหญ่
Samsung 32GB DDR5-5600 M425R4GA3BB0-CWMOL
Samsung&Hynix RAM
Samsung 96GB DDR5-6400 M321RYGA0PB2-CCPKF
มอบประสิทธิภาพความเร็วสูงสำหรับงานที่ต้องการความละเอียดสูง ความถี่ 5600MHz ช่วยให้การถ่ายโอนข้อมูลรวดเร็ว เพิ่มประสิทธิภาพการทำงาน
Hynix HMCG94AGBRA632N AA 64GB DDR5-5600
โมดูลหน่วยความจำ Samsung 96GB DDR5-6400 นี้มีความจุสูงสำหรับเวิร์กโหลดที่ต้องการ ความเร็ว 6400MHz ช่วยให้ประมวลผลข้อมูลได้อย่างรวดเร็ว
ความจุ 64GB รองรับชุดข้อมูลขนาดใหญ่และเวอร์ชวลไลเซชัน DDR5-5600 ให้แบนด์วิดท์และประสิทธิภาพที่ดีขึ้นกว่ารุ่นก่อนหน้า
Hynix HMCGM4MGBRB614N AA 96GB DDR5-5600
Hynix&Micron RAM
Micron 96GB DDR5-5600 MTC40F204WS1RC56BB2 MLCC
มีความจุสูงสำหรับเวิร์กโหลดที่ต้องการหน่วยความจำจำนวนมาก ความเร็ว 5600MHz ช่วยให้ถ่ายโอนข้อมูลได้อย่างรวดเร็ว เพิ่มประสิทธิภาพของระบบ
Micron 96GB DDR5-6400 MTC40F204WS1RC64BC1 UXCC
โมดูล Micron 96GB DDR5-5600 นี้มีความหนาแน่นสูงสำหรับเวิร์กโหลดที่ต้องการหน่วยความจำจำนวนมาก ใช้ตัวเก็บประจุ MLCC เพื่อการจ่ายไฟที่เสถียรและลดเสียงรบกวน
โมดูลนี้มีความจุ 96GB ด้วยความเร็ว DDR5-6400 ให้แบนด์วิดท์สูงสำหรับเวิร์กโหลดที่ต้องการหน่วยความจำจำนวนมาก