Samsung 96 Go DDR5-5600 M321RYGA0PB0-CWMKJ
Samsung RAM
Samsung 128 Go DDR5-6400 M321RAJA0MB2-CCPWF
Module mémoire DDR5-5600 haute capacité de 96 Go de Samsung. Offre une bande passante exceptionnelle pour les charges de travail exigeantes des serveurs et de l'IA.
Samsung 64 Go DDR5-5600 M321R8GA0EB0-CWMXJ
La vitesse DDR5-6400 à large bande passante permet un traitement des données plus rapide. La grande capacité de 128 Go prend en charge les charges de travail gourmandes en mémoire.
Performances élevées et bande passante améliorée pour les charges de travail exigeantes. Sa capacité de 64 Go prend en charge le multitâche et le traitement de grandes quantités de données.
Samsung 32 Go DDR5-5600 M425R4GA3BB0-CWMOL
RAM Samsung&Hynix
Samsung 96 Go DDR5-6400 M321RYGA0PB2-CCPKF
Il offre des performances à haute vitesse pour les tâches exigeantes. Sa fréquence de 5600 MHz assure un transfert de données rapide, augmentant la productivité.
Hynix HMCG94AGBRA632N AA 64 Go DDR5-5600
Ce module de mémoire Samsung 96 Go DDR5-6400 offre une densité élevée pour les charges de travail exigeantes. Sa vitesse de 6400 MHz assure un traitement rapide des données.
Sa densité de 64 Go prend en charge les grands ensembles de données et la virtualisation. La DDR5-5600 offre une bande passante et une efficacité améliorées par rapport aux générations précédentes.
Hynix HMCGM4MGBRB614N AA 96 Go DDR5-5600
RAM Hynix&Micron
Micron 96 Go DDR5-5600 MTC40F204WS1RC56BB2 MLCC
Il offre une grande capacité pour les charges de travail gourmandes en mémoire. Sa vitesse de 5600 MHz assure un transfert de données rapide, améliorant les performances du système.
Micron 96 Go DDR5-6400 MTC40F204WS1RC64BC1 UXCC
Ce module Micron 96 Go DDR5-5600 offre une densité élevée pour les charges de travail gourmandes en mémoire. Il utilise des condensateurs MLCC pour une alimentation stable et une réduction du bruit.
Ce module offre une capacité de 96 Go avec une vitesse DDR5-6400, fournissant une bande passante élevée pour les charges de travail gourmandes en mémoire.