Intel Xeon 6767p

Intel Xeon 6776P

Intel Xeon 6740P

Intel Xeon 6740E

AMD EPYC 9575F

AMD EPYC 9654

AMD EPYC 9755

AMD EPYC 9555

Módulo de memoria DDR5-5600 de alta capacidad de 96 GB de Samsung. Ofrece un ancho de banda excepcional para cargas de trabajo exigentes de servidores e IA. 

La velocidad DDR5-6400 de alto ancho de banda permite un procesamiento de datos más rápido. La gran capacidad de 128 GB admite cargas de trabajo intensivas en memoria.

Alto rendimiento y ancho de banda mejorado para cargas de trabajo exigentes. Su capacidad de 64 GB admite la multitarea y el procesamiento de grandes volúmenes de datos. 

Ofrece un rendimiento de alta velocidad para tareas exigentes. Su frecuencia de 5600MHz garantiza una transferencia de datos rápida, aumentando la productividad. 

Este módulo de memoria Samsung de 96 GB DDR5-6400 ofrece alta densidad para cargas de trabajo exigentes. Su velocidad de 6400 MHz garantiza un procesamiento de datos rápido. 

Su densidad de 64 GB admite grandes conjuntos de datos y virtualización. DDR5-5600 ofrece un ancho de banda y una eficiencia mejorados con respecto a las generaciones anteriores.

Ofrece alta capacidad para cargas de trabajo que requieren mucha memoria. Su velocidad de 5600 MHz garantiza una transferencia de datos rápida, mejorando el rendimiento del sistema. 

Este módulo Micron de 96 GB DDR5-5600 presenta alta densidad para cargas de trabajo que requieren mucha memoria. Utiliza condensadores MLCC para una entrega de energía estable y un ruido reducido. 

Este módulo ofrece una capacidad de 96 GB con una velocidad DDR5-6400, proporcionando un alto ancho de banda para cargas de trabajo que requieren mucha memoria.