سامسونج 96 جيجابايت DDR5-5600 M321RYGA0PB0-CWMKJ
ذاكرة وصول عشوائي من سامسونج
سامسونج 128 جيجابايت DDR5-6400 M321RAJA0MB2-CCPWF
وحدة ذاكرة DDR5-5600 بسعة 96 جيجابايت من سامسونج. توفر نطاقًا تردديًا استثنائيًا لأعباء عمل الخوادم والذكاء الاصطناعي المتطلبة.
سامسونج 64 جيجابايت DDR5-5600 M321R8GA0EB0-CWMXJ
تتيح سرعة DDR5-6400 ذات النطاق الترددي العالي معالجة أسرع للبيانات. تدعم السعة الكبيرة 128 جيجابايت أعباء العمل المكثفة للذاكرة.
أداء عالي السرعة وعرض نطاق ترددي محسّن للأعباء العملية المتطلبة. تدعم سعتها البالغة 64 جيجابايت تعدد المهام ومعالجة البيانات الكبيرة.
Samsung 32GB DDR5-5600 M425R4GA3BB0-CWMOL
ذاكرة Samsung&Hynix RAM
Samsung 96GB DDR5-6400 M321RYGA0PB2-CCPKF
يوفر أداءً عالي السرعة للمهام المتطلبة. يضمن تردده البالغ 5600 ميجاهرتز نقل بيانات سريعًا، مما يعزز الإنتاجية.
Hynix HMCG94AGBRA632N AA 64GB DDR5-5600
توفر وحدة الذاكرة Samsung 96GB DDR5-6400 كثافة عالية للأعباء العملية المتطلبة. تضمن سرعتها البالغة 6400 ميجاهرتز معالجة سريعة للبيانات.
تدعم كثافة 64 جيجابايت مجموعات البيانات الكبيرة والمحاكاة الافتراضية. يوفر DDR5-5600 نطاقًا تردديًا وكفاءة محسّنة مقارنة بالأجيال السابقة.
Hynix HMCGM4MGBRB614N AA 96GB DDR5-5600
Hynix&Micron RAM
ميكرون 96 جيجابايت DDR5-5600 MTC40F204WS1RC56BB2 MLCC
توفر سعة عالية للأعباء العملية التي تتطلب ذاكرة مكثفة. تضمن سرعتها البالغة 5600 ميجاهرتز نقل بيانات سريع، مما يعزز أداء النظام.
Micron 96GB DDR5-6400 MTC40F204WS1RC64BC1 UXCC
تتميز وحدة Micron 96GB DDR5-5600 هذه بكثافة عالية لأعباء العمل التي تتطلب ذاكرة مكثفة. تستخدم مكثفات MLCC لتوصيل طاقة مستقر وتقليل الضوضاء.
توفر هذه الوحدة سعة 96 جيجابايت بسرعة DDR5-6400، مما يوفر نطاقًا تردديًا عاليًا لأعباء العمل التي تتطلب ذاكرة مكثفة.